WPC-340

半自動晶圓清洗機

  • 專業晶片/攝像頭模組清洗設備
  • 去除晶片,CMOS本體表面之微塵顆料
  • 二流體噴洗-高速離心脫水
規格說明
技術參數
最大工作盤 Φ 310mm
清洗水供給壓力 >2.0Kgf
最大清洗工件 Φ300MM/310mm
清洗水流量設定範圍 <4L/min
清洗方式 水氣二流體清洗
DI供給潔淨度要求 >16MΩ
乾燥方式 高速離心脫水(離子風)
潔淨壓縮空氣供給壓力 0.45—0.7mpa
工作盤旋轉數範圍 0--2800 r/min
潔淨壓縮空氣潔淨度要求 過濾度在0.01um/99.5%以上超潔淨壓縮空氣,殘餘油<0.1ppm
離心清洗釋出壓力 1.5—13.8kg
送風排氣容量 3.0m3/min
潔淨壓縮空氣最大消耗量 清洗時:<210L/MIN
潔淨純水最大消耗量 清洗時:<3L/min
設備材料 整機316鏡面不銹鋼
控制方式 PLC+觸控式螢幕
可清洗顆料最小直徑 ≧1um 99%以上
電源 220V 5A 50/60HZ
設備重量 約160KG
設備尺寸 600mm(L)×500mm(W)×1570mm(H)

洽詢

產品圖檔
已選擇品項
預計採購數量
預計採購時間
半自動晶圓清洗機
專業晶片/攝像頭模組清洗設備 去除晶片,CMOS本體表面之微塵顆料 二流體噴洗-高速離心脫水
聯絡人資料
公司資料

( 請輸入完整號碼,含國碼、地區碼,例 xxx-x-xxxxxxx )

其它

當您提交後,即表示您同意我們的《隱私權與 Cookie 政策》。