問與答

第 1 到 4 筆。共 4 筆。
濕製程設備主要是做為化學濕製程之蝕刻、顯影、去膜、清洗、前後處理等表面處理製程使用,本公司晶圓製程設備已可自主研發設備,並專攻蝕刻、去膜及薄片製程產業,也可根據客戶做變化
Scrubber(晶圓清洗)機台是用純水或超純水來進行晶圓表面清洗,以去除晶圓表面沾附的微塵顆粒(particle)。

GKC針對不同客戶在製程上的需求,會進行水的壓力調整。例如清洗大顆粒而需加大壓力或是針對micro bump的清洗需調整衝擊力道。
在設備的硬體上,可直接設定調整水壓,也可在噴嘴的選用方面,依客戶需求讓客戶選擇不同的類型:例如(1) 高壓(HPC)、(2) 二流體(2-Fluid)、(3) 兆聲波(Megasonic)。且這三種選擇可單選用或是全選,安裝在同一機台上。
通常光阻去除與化學品的選用有很大的關係,一般常見用於去除非金屬層光阻的化學品如硫酸加雙氧水或丙酮等,金屬層光阻會使用鹼性溶液加雙氧水、NMP、DMSO等去除,除了化學品的選用,設備能力也是重點,隨著3DIC及WLCSP製程的演進,光阻的特性、厚度、線寬都會對製程能力增加挑戰,例如光阻特性是需靠外力或是溶解的方式剝除會影響設備的配置以及產出速度,針對micro bump或copper pillar bump等光阻去除製程,因光阻厚度及bump的密集程度也會對清洗製程產生影響,造成光阻無法完全去淨。

GKC PR stripper單晶圓設備,可供6吋、8吋或12吋晶圓濕製程光阻去除。利用單晶圓旋轉配合化學品的使用將晶圓表面的光阻去除,PR stripper產品在各封裝大廠皆有交機實績。在化學品的使用因具備回收過濾系統,回收率高達95%以上,可減少化學品用量。 設備本身具有極富彈性的製程調整能力及可進行客制化的應用,例如去除過程中化學品的噴灑配合轉速的調整,水洗步驟快速且安全洗去化學品,旋乾步驟配合氮氣進行乾燥晶圓表面,滿足客戶在不同產品製程的需求以達到光阻能快速且完全去淨的目的。
白努利原理其實就是能量守恆定律(conservation of energy)在流體上的應用。 也就是說,為了滿足能量守恆定律,流體分子力學能的總和應該在流動路徑上的各處皆要相同,亦即動能與位能的和不論流體流往何處皆應保持定值。