濕式單晶圓製程機台 (Wet Process Spinner)

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8-12 Inch 單片晶圓dry-in/dry-out清洗平臺，適用于先進封裝制程的particle、有機、無機、助焊劑等污染物清洗
可選配二流體、megasonic、超高壓噴洗、 ...

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濕式光阻去除系統，適用於6吋、8寸、12寸厚膜光阻的去除，依產能可客製2個腔體或4個腔體，在旋轉 spin processor工藝的基礎上結合旋轉浸泡噴流工藝，可實現極難的厚膜光阻 ...

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Metal Lift-Off 設備主要由浸泡槽、剝離槽、清洗槽、晶背蝕刻槽、傳送單元、翻轉單元、控制單元等模組組成，適用於12吋厚膜光阻的去除或光阻上金屬的剝離以及晶背蝕刻和SC1 ...

單晶圓矽晶背蝕刻機，提供8吋晶圓背面濕式蝕刻製程，適用於研發測試及量產用途之全自動化設備。

全自動單晶圓濕蝕刻 Spin Processor，適用於 UBM、RDL 、BGBM及各種金屬層的刻蝕，清洗和去膠等工藝流程。
腔體特殊設計，保證化學品回收率，並且一個腔體完成多種液 ...

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晶圓全自動上光阻機，適用 8”晶圓凸塊製程，分為晶圓傳送、旋轉塗佈及烘烤區。
可提供二種光阻不同膜厚製程。光阻利用高壓瓶或精準微量 pump 供應，輸出光阻量精確可達 0.1 CC。 ...

提供6" & 8"晶圓背面Si蝕刻制程 dry-in/dry-out清洗平臺，適用于先進封裝制程的particle、有機、無機、助焊劑等污染物清洗
占地面積小，性價比高等特點，為未來 ...

6" Si/SiC晶圓dry-in/dry-out清洗平臺，適用于先進封裝制程的particle、有機、無機、助焊劑等污染物清洗
可選配二流體、megasonic、超高壓噴洗、RCA ...

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提供6" & 8"晶圓背面Si蝕刻制程 dry-in/dry-out清洗平臺，適用于先進封裝制程的particle、有機、無機、助焊劑等污染物清洗
配有 Bernoulli spin ...

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單晶圓濕蝕刻 Spin Processor，適用於 UBM、RDL 、BGBM及各種金屬層的刻蝕，清洗和去膠等工藝流程。
腔體特殊設計，保證化學品回收率，並且一個腔體完成多種液體的蝕 ...

專為 6/8吋 Cassette/Box, 12吋 FOUP/FOSB設計
清洗腔採優質PVC焊接 ...